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碳化硅单晶材料

  • 碳化硅单晶衬底

    品牌金桥铜业跨接线的截面积大小：69英寸车辆业务类型：导电型多晶硅衬底好产品长处：禁服务器带宽度大、高烧导率、高热击穿磁场、本征温差高、抗电磁干扰、化学上的相对稳明确好、电子为了满足电子时代发展的需求，饱和漂移时速高的特征。利用的领域：主要利用于创作中高温、各类高压、大输出功率、抗辐照的半导体技术电子器件等。

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  • 碳化硅外延片

    车辆技术参数：4-64英寸食产品品种型：同质外加片產品特色：禁上行宽带度大、临界状态损坏电场强度高、高烧导率、高智能供大于求和变迁运行速度等。用科技领域：常见用于制造高的温度、直流电、大公率、抗辐照的半导体芯片电子元器件等。

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碳化硅功率器件

  • 995澳门论坛六肖6码正码资料:碳化硅肖特基二极管

    额定容量交流电压：650-1200V   载荷系数交流电：2-60A产品设备特殊性：无定形碳硅肖特基场效应管相较于普通型的PN结势垒场效应管具备导通压缩减，电源开关流速快、0选择性还原、耐低温的优越性。操作软件邻域：无定形碳硅肖特基肖特基二极管可操作软件于光伏发电逆变开关交流电源、低频开关交流电源、高耐腐蚀性服务保障器开关交流电源、冲电桩冲电传感器等邻域。

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  • 碳化硅场效应晶体管

    额定值电流电压：650-1200V   特殊电流量：30-100A食品优点和缺点：氧化硅场因素单晶体管（SiC MOSFET）极具更低的导通电容，最高的操作频次，旋钮消耗费大幅度的削减，SiC MOSFET与Si IGBT电子元器件相较于可削减旋钮消耗费70%，高温环境的特点好、平稳高。运用范围：SiC MOSFET可运用于触点直流电源控制器、太阳能发电变逆器、续航桩续航控制器、清洁能源系统车子OBC、DC/DC等。

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碳化硅功率模块

  • 全碳化硅功率模块

    额定负载直流电压：650-1200V   额定值功率：100-600A品牌共同点：全炭化硅输出模快图片与传统式硅基IGBT相对来说，全炭化硅模快图片极具会高的输出规格、速度更快的做工作頻率，电开关耗用可减低70%这。采用范畴：全氢氟酸处理硅公率控住模块可采用于路轨交通出行逆变迁引、新再生能源小车马达控住器、光伏系统逆变电源线、ups电源线、智能化电力部门等。

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  • 995澳门论坛六肖6码正码资料:混合碳化硅功率模块

    固定交流电压：1200V固定电压：300A、450A、600A服务特别：混合物法增碳硅耗油率功能与傳統硅功能相比较，增碳硅混合物法功能体现了更强的耗油率导热系数、更低的按钮损耗率已经最快的速度的工做频带宽度。用途教育领域：融合无定形碳硅输出功率功能模块可用途于太阳能发电机组发电机组、新能量车辆、道路流量、不断断续续电源适配器、智力电力等。

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