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| 产品类别 | 型号 | 产品描述 | 资料下载 |
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| SiC单晶片 | 6英寸导电型单晶衬底 | 小批处理试产物料，禁速率度大、发高热导率、高击穿电压静电场，采用创作温度过高、高电压、大输出、抗辐照的光电电子元件输出电子元件。 |  |
| SiC外延片 | 6英寸N型SiC外延片 | 禁带宽起步度大、发高热导率、高电压击穿磁场，在制作而成高的温度、各类高压、大电瓦数、抗辐照的半导体芯片电瓦数配件。 | |
| SiC SBD | CGC1S06506 | 直流电压650V，瞬时电流6A，TO-220二极管封装，0单向回特点，高頻、高靠普性。 | |
| SiC SBD | CGF1S06506 | 电压功率650V，功率6A，TO-263二极管封装，0返向恢复因素，高频率、高可靠的性。 | |
| SiC SBD | CGC1S06508 | 端电压650V，功率8A，TO-220打包封装，0选择性治疗性能，中频、高靠谱性。 | |
| SiC SBD | CGC1S06510 | 瞬时电流值650V，瞬时电流10A，TO-220装封，0交叉回信特质，高频率、高靠普性。 | |
| SiC SBD | CGF1S06510 | 工作电压650V，工作电流10A，TO-263二极管封装，0反相进行回复形态，低频、高安全性。 | |
| SiC SBD | CGJ1S06510 | 相电压650V，直流电10A，TO-220F封口，0反方向发信息基本特性，低频、高稳定稳定。 | |
| SiC SBD | CGC1S06515 | 电阻650V，瞬时电流15A，TO-220封裝，0正向进行回复性，高頻、高可信度性。 | |
| SiC SBD | CGE1S06520 | 电压降650V，电流大小20A，TO-247-3封装类型，0正向发送性能特点，低频、高可信度性。 | |